Si4320DY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档号码: 72212
s-03921—rev.一个, 19-将-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个
1.0 3.0 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
5
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10
V
30 一个
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 10
v,I
D
= 25 一个
0.0024 0.003
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 22 一个 0.0032 0.004
向前 transconductance
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 25 一个 110 S
二极管 向前电压
一个
V
SD
I
S
= 2.9 一个, v
GS
= 0 v 0.72 1.1 V
动态
b
输入 电容 C
iss
6500
输出 电容 C
oss
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个
930
pF
反转 transfer 电容 C
rss
610
总的 门 承担 Q
g
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个 45 70 nC
门-源承担 Q
gs
V
DS
= 15 v
V
GS
= 4 5 v I
D
= 20 一个
20
nC
门-流承担 Q
gd
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 20 一个
16
nC
门 阻抗 R
G
f = 1.0 mhz 1.1
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
27 40
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
21 35
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
107 160
ns
下降 时间 t
f
43 65
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 2.9 一个, di/dt = 100 一个/
s
45 70
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
60
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
0
10
20
30
40
50
60
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
V
GS
= 10 thru 4 v
25
C
T
C
= 125
C
-55
C
3 v
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
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