特性
过激 低 在-阻抗 使用 高 密度
TrenchFET
gen ii 电源 场效应晶体管 技术
Q
g
优化
100% r
g
测试
产品
同步的 buck 低-一侧
−
Notebook
−
Server
−
Workstation
同步的 整流器, pol
Si4336DY
vishay siliconix
文档号码: 72417
s-41795—rev.b, 04-oct-04
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个) Q
g
(典型值)
30
0.00325 @ v
GS
= 10 v 25
3630
0.0042 @ v
GS
= 4.5 v 22
36
所以-8
SD
SD
SD
GD
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
订货 信息: Si4336DY
si4336dy-t1(和 录音带 和 卷轴)
n-频道 场效应晶体管
G
D
S
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
30
V
门-源 voltage V
GS
20
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
25 17
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
20 13
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度)
I
DM
70
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
2.9 1.3
avalanche 电流 l = 0.1 mh I
作
50
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
3.5 1.6
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
2.2 1
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
−
55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
29 35
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
67 80
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
13 16
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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