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资料编号:608010
 
资料名称:SI5904DC
 
文件大小: 112.57K
   
说明
 
介绍:
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si5904DC
Vishay Siliconix
文档 号码: 71065
s-21251—rev. b, 05-8月-02
www.vishay.com
2-3
典型 特性 (25
_
C 除非 指出)
0
100
200
300
400
500
600
048121620
-- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
--50 --25 0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
01234
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0246810
V
DS
-- 流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
=10V
I
D
=3.1a
I
D
-- 电流 (一个)
V
GS
=4.5v
I
D
=3.1a
V
GS
=2.5v
承担
在-阻抗 vs. 电流
-- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
-- 总的 承担 (nc)
C -- 电容 (pf)
V
GS
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
-- 接合面 温度 (
_
c)
(normalized)
-- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
012345
T
J
= 150
_
C
T
J
=25
_
C
I
D
=3.1a
10
1
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
-- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
-- 源-至-流 电压 (v) V
GS
-- 门-至-源 电压 (v)
-- 电流 (一个)I
S
V
GS
=4.5v
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