特性
TrenchFET
电源 场效应晶体管
产品
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Si6423DQ
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72257
s-31419—rev.一个, 07-jul-03
www.vishay.com
1
p-频道 12-v (d-s) 场效应晶体管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
0.0085 @ v
GS
=- 4.5 v -9.5
-12
0.0106 @ v
GS
=- 2.5 v -8.5
0.014 @ v
GS
=- 1.8 v -7.5
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
tssop-8
顶 视图
S*
G
D
p-频道 场效应晶体管
* 源 管脚 2, 3, 6 和 7
必须 是 系 一般.
订货 信息: Si6423DQ
si6423dq-t1 (和 录音带 和 卷轴)
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-12
V
门-源 电压 V
GS
8
V
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 25
C
I
D
-9.5 -8.2
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
-8 -6.5
一个
搏动 流 电流 (10
s 脉冲波 宽度) I
DM
-30
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个
I
S
-1.35 -0.95
最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 25
C
P
D
1.5 1.05
W最大 电源 消耗
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.0 0.67
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
- 55 至 150
C
热的阻抗比率
参数 标识 典型 最大 单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
60 83
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
100 120
c/w
最大 接合面-至-foot 稳步的 状态 R
thJF
35 45
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.