额外的刺激 设备 模型 si6433bdq
vishay siliconix
www.vishay.com 文档 号码: 72565
2
21-将-04
规格 (t
J
= 25
°
c 除非 otherwise 指出)
参数 标识 测试 情况
Simulated
数据
量过的
数据
单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
=
−
250
µ
一个
1.2 V
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
=
−
5 v, v
GS
=
−
4.5 v
75 一个
V
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
4.8 一个
0.031 0.032
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
=
−
2.5 v, i
D
=
−
3.6 一个
0.050 0.053
Ω
向前跨导
b
g
fs
V
DS
=
−
5 v, i
D
=
−
4.8 一个
13 14 S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
=
−
1.35 一个, v
GS
= 0 v
−
0.79
−
0.77
V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
8.7 10
门-源 承担 Q
gs
1.8 1.8
门-流 承担 Q
gd
V
DS
=
−
6 v, v
GS
=
−
4.5 v, i
D
=
−
4.8 一个
3 3
nC
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
43 45
上升时间 t
r
26 60
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
67 70
下降 时间 t
f
V
DD
=
−
6 v, r
L
= 6
Ω
I
D
≅ −
1 一个, v
GEN
=
−
4.5 v, r
G
= 6
Ω
18 35
ns
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
≤
300
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
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