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资料编号:608087
 
资料名称:SI6544DQ
 
文件大小: 92.44K
   
说明
 
介绍:
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si6544DQ
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-2
文档 号码: 70668
s-56944—rev. c, 23-十一月-98
 

   
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 n-ch 1.0
vgate 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
一个 p-ch –1.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
=0 v, v
GS
=
20 v
n-ch
100
nagate-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
p-ch
100
nA
ZGVl DiC I
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v n-ch 1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 0 v p-ch –1
一个
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C n-ch 5
一个
V
DS
= 0 v, t
J
= 55
C p-ch –5
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
5 v, v
GS
= 10 v n-ch 20
aon-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
= 10 v, i
D
= 4.0 一个 n-ch 0.027
0.035
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= –3.5 一个 p-ch 0.035 0.045
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 3.4 一个 n-ch 0.038 0.050
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –2.5 一个 p-ch 0.062 0.090
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 4.0 一个 n-ch 13
sforward 跨导
一个
g
fs
V
DS
= – 3.5 一个 p-ch 7.2
S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= 1.25 一个, v
GS
= 0 v n-ch 0.73 1.2
vdiode 向前 电压
一个
V
SD
I
S
= –1.25 一个, v
GS
= 0 v p-ch –0.77 –1.2
V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
NCh l
n-ch 17.5 30
C
总的 门 承担 Q
g
n-频道
p-ch 17 30
C
门-源 承担 Q
gs
N 频道
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 4.0 一个
n-ch 4.0
ncgate-源 承担 Q
gs
p-频道
V15VV10VI35A
p-ch 4.4
nC
门-流 承担 Q
gd
V
DS
= –15 v,
V
GS
= –3.5 一个
n-ch 2.5
门-流 承担 Q
gd
p-ch 3.1
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
NCh l
n-ch 12 20
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
NCh l
p-ch 13 20
上升 时间 t
r
n-频道
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
n-ch 9 20
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
p-ch 10 20
转变-的f 延迟 时间 t
d(止)
p-频道
V15VR15
n-ch 25 50
nsturn-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= –15 v, r
L
= 15
I
D
= –10 v, r
G
= 6
p-ch 33 60
ns
下降 时间 t
f
I
D
1 一个, v
GEN
10 v, r
G
6
n-ch 20 40
下降 时间 t
f
p-ch 10 20
源-流
RR 德州仪器
t
rr
I
F
= 1.25 一个, di/dt = 100 一个/
s n-ch 25 60
反转 恢复 时间
t
rr
I
F
= –1.25 一个, di/dt = 100 一个/
s p-ch 30 60
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
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