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资料编号:608121
 
资料名称:SI6943DQ
 
文件大小: 80.53K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
 
 


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sept 2001
2001 仙童 半导体 公司
si6943dq rev. b (w)
Si6943DQ
双 p-频道 2.5v 指定 powertrench

场效应晶体管
一般 描述
这个 p-频道 –2.5v 指定 场效应晶体管 是 一个 坚毅的
门 版本 的 仙童's 半导体’s 先进的
powertrench 处理. 它 有 被 优化 为 电源
驱动 电压 (–2.5v 至 –8v).
产品
加载 转变
发动机 驱动
直流/直流 转换
电源 管理
特性
–2.5 一个, –12 v, R
ds(在)
= 110 m
@ v
GS
= –4.5 v.
R
ds(在)
= 180 m
@ v
GS
= –2.5v.
扩展 v
GSS
范围 (
±
8v) 为 电池 产品
低 门 承担 (4.6nc 典型)
高 效能 trench 技术 为 极其
低 r
ds(在)
低 profile tssop-8 包装
D
1
S
1
S
1
G
1
D
2
S
2
S
2
G
2
tssop-8
管脚 1
8
7
6
5
1
2
3
4
绝对 最大 比率
T
一个
=25
o
c 除非 否则 指出
标识 参数 比率 单位
V
DSS
流-源 电压 –12 V
V
GSS
门-源 电压
±
8
V
I
D
流 电流 – 持续的
(便条 1)
–2.5 一个
– 搏动 –20
P
D
电源 消耗 为 单独的 运作
(便条 1a)
1.0 W
(便条 1b)
0.6
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的
(便条 1a)
100
°
c/w
(便条 1b)
125
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
6943 si6943dq 13’’ 12mm 2500 单位
Si6943DQ
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