si6435dq rev b(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压
V
GS
= 0 v, i
D
= –250
µ
一个
–30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
–23
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流 电流 V
DS
= –24 v, V
GS
= 0 v –1
µ
一个
I
GSSF
gate–body 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v, V
DS
= 0 v 100 nA
I
GSSR
gate–body 泄漏, 反转 V
GS
= –20 v, V
DS
= 0 v –100 nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, i
D
= –250
µ
一个
–1 –1.7 –3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= –250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
5
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= –10 v, I
D
= –4.5 一个
V
GS
= –4.5 v, I
D
= –3.4 一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –4.5a, t
J
=125
°
C
27
42
38
40
70
60
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= –10 v, V
DS
= –5 v –30 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= –15 v, I
D
= –4.5 一个 12 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 854 pF
C
oss
输出 电容 215 pF
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= –15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
112 pF
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 9 20 ns
t
r
turn–on 上升 时间 14 20 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 29 55 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DD
= –15 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –10 v, R
GEN
= 6
Ω
15 25 ns
t
rr
反转 恢复 时间
V
GS
= 0 v, i
F
= –1.25 一个,
dI
F
/dt = 100a/
µ
s
19 80 ns
Q
g
总的 门 承担 15 35 nC
Q
gs
gate–source 承担 2.4 nC
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= –15 v, I
D
= –4.5 一个,
V
GS
= –10 v
3nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 drain–source 二极管 向前 电流 –1.25 一个
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= –1.25 一个
(便条 2)
–0.75 –1.2 V
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 所以lder 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) r
θ
JA
是 87
°
c/w (稳步的 状态) 当 挂载 在 一个 1 inch² 铜 垫子 在 fr-4.
b) r
θ
JA
是 114
°
c/w (稳步的 状态) 当 挂载 在 一个 最小 铜 垫子 在 fr-4.
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
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