Si7856DP
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 71850
s-20351
—
rev. 一个, 18-apr-02
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0.000
0.002
0.004
0.006
0.008
0.010
0 1020304050
0
1
2
3
4
5
6
0 1020304050
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
–
50
–
25 0 25 50 75 100 125 150
C
rss
V
DS
= 15 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 10 v
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
–
门-至-源 电压 (v)
Q
g
–
总的 门 承担 (nc)
V
DS
–
流-至-源 电压 (v)
C
–
电容 (pf)
V
GS
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
–
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
–
接合面 温度 (
c)
(normalized)
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 4.5 v
1.0 1.2
0.000
0.004
0.008
0.012
0.016
0.020
0246810
1
10
50
I
D
= 20 一个
0.00 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 25
C
T
J
= 150
C
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
–
在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
–
源-至-流 电压 (v) V
GS
–
门-至-源 电压 (v)
–
源 电流 (一个)I
S
0
1400
2800
4200
5600
7000
0 6 12 18 24 30
C
oss
C
iss