si9110/9111
vishay siliconix
文档 号码: 70004
s-40751—rev. g, 19-apr-04
www.vishay.com
3
规格
一个
d 后缀
−
40 至 85
C
测试 情况
除非 否则 指定
释放 =
−
V
在
= 0 v
V
CC
= 10 v, +v
在
= 48 v
R
偏差
= 390 k
, r
OSC
= 330 k
参数 UnitMax
d
Typ
c
最小值
d
温度
b
测试 情况
除非 否则 指定
释放 =
−
V
在
= 0 v
V
CC
= 10 v, +v
在
= 48 v
R
偏差
= 390 k
, r
OSC
= 330 k
标识
电流限制
门槛 电压 V
源
V
FB
= 0 v 房间 1.0 1.2 1.4 V
延迟 至 输出
e
t
d
V
SENSE
= 1.5 v, 看 图示 1 房间 100 150 ns
前-调整器/开始-向上
输入 voltage +V
在
I
在
= 10
一个 房间 120 V
输入 泄漏 电流 +I
在
V
CC
9.4 v 房间 10
一个
前-调整器 开始-向上 电流 I
开始
脉冲波 宽度
300
s, v
CC
= v
ULVO
房间 8 15 毫安
V
CC
前-调整器 转变-止
门槛 电压
V
REG
I
前-调整器
= 10
一个 房间 7.8 8.6 9.4
V
欠压 lockout V
UVLO
房间 7.0 8.1 8.9
V
V
REG
−
V
UVLO
V
DELTA
房间 0.3 0.6
供应
供应 电流 I
CC
C
加载
< 75 pf (管脚 4) 房间 0.45 0.6 1.0 毫安
偏差 电流 I
偏差
房间 10 15 20
一个
逻辑
关闭延迟
e
t
SD
C
L
= 500 pf, v
SENSE
−
V
在
, 看 图示 2 房间 50 100
关闭脉冲波 宽度
e
t
SW
看 图示 3 房间 50
重置 脉冲波 宽度
e
t
RW
房间 50
ns
闭锁 脉冲波 宽度
关闭
和 重置 低
e
t
LW
看 图示 3 房间 25
输入 低电压 V
IL
房间 2.0
V
输入 高电压 V
IH
房间 8
V
输入 电流 输入 电压 高 I
IH
V
在
= 10 v 房间 1 5
一个
输入 电流 输入 电压 低 I
IL
V
在
= 0 v 房间
−
35
−
25
一个
输出
输出 高电压 V
OH
I
输出
=
−
10 毫安
房间
全部
9.7
9.5
V
输出 低 电压 V
OL
I
输出
= 10 毫安
房间
全部
0.30
0.50
V
输出 阻抗 R
输出
I
输出
= 10 毫安, 源 或者 下沉
房间
全部
20
25
30
50
上升 时间
e
t
r
C
L
= 500 pf
房间 40 75
ns
下降 时间
e
t
f
C
L
= 500 pf
房间 40 75
ns
注释
一个. 谈及 至 处理 选项 flowchart 为 额外的 信息.
b. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大.
e. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
f. C
偏离
管脚 8 =
5 pf.
: 点此下载
