Si9181
vishay siliconix
文档 号码: 71119
s-40694—rev. d, 19-apr-04
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5
订货信息
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含铅的 (铅)-自由
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标记 电压 温度 范围 包装
si9181dq-15-t1 si9181dq-15-t1—e3 115 1.5 v
si9181dq-18-t1 si9181dq-18-t1—e3 118 1.8 v
si9181dq-20-t1 si9181dq-20-t1—e3 120 2.0 v
si9181dq-25-t1 si9181dq-25-t1—e3 125 2.5 v
si9181dq-28-t1 si9181dq-28-t1—e3 128 2.8 v
si9181dq-285-t1 si9181dq-285-t1—e3 285 2.85 v
−
40 至 85
C tssop-8
si9181dq-29-t1 si9181dq-29-t1—e3 129 2.9 v
si9181dq-30-t1 si9181dq-30-t1—e3 130 3.0 v
si9181dq-33-t1 si9181dq-33-t1—e3 133 3.3 v
si9181dq-50-t1 si9181dq-50-t1—e3 150 5.0 v
si9181dq-ad-t1 si9181dq-ad-t1—e3 1AD 可调整的
* 额外的 电压 选项 是 有.
eval kit 温度 范围 板 类型
Si9181DB
−
40 至 85
C 表面 挂载
典型 特性 (内部 管制, 25
c 除非 指出)
0
50
100
150
200
250
300
0 100 200 300 400 500 600
落后 voltage vs. 加载 电流
I
加载
(毫安)
(mv)v
漏出
0
25
50
75
100
125
150
175
200
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150
落后 电压 vs. temperature
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0123456
落后 典型的
V
在
(v)
(v)v
输出
接合面 温度 (
c)
0
50
100
150
200
250
300
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
落后 电压 vs. v
输出
落后 电压 (mv)
V
输出
R
加载
= 16.5
(mv)v
漏出
I
输出
= 0 毫安
I
输出
= 350 毫安
I
输出
= 300 毫安
V
输出
= 3.3 v
V
输出
= 3.3 v
I
输出
= 10 毫安
I
输出
= 300 毫安
I
输出
= 350 毫安
I
输出
= 10 毫安