sii 141b
sii-ds-0037-c
硅 image, 公司 9 主题 至 改变 没有 注意
在 一些 应用, scdt 是 连接 至 这 pdo 管脚 至 提供 一个 电源 savings 模式. 在 其他, scdt 是
连接 至 一个 外部 电路 至 信号 当 一个 新当选的 video 信号 是 有. 这些 外部 设备 将
使用 一个 内部的 拉 向上 这个 能 导致 问题.
如果 scdt 是 连接 至 一个 外部 电路 这个 有 一个 内部的 拉 向上
, 然后 scdt 将 不 停留 低 当 非
video 信号 是 呈现. 这 推荐 电路 至 保持 scdt 低 是 显示 图示 9. 为 大多数 产品,
硅 image 推荐 一个 拉 向下 电阻 的 1.5 k
Ω
. 不管怎样, 情况 在里面 每 设计 将 相异.
请 使用 这 calculations 在下 至 决定 这 恰当的 拉-向下 电阻 值.
SiI141B
scdt(pin# 7)
外部
碎片
R
拉 向下 resister
弱 内部的
拉 向下
内部的 拉 向上
图示 9. 图式 为 scdt 连接 至 外部 设备 和 拉 向上
这 外部 拉 向下 电阻 值 取决于 在 这 拉-向上 电路 在 这 外部 设备 和 能 是 计算
和 等式 [1] 和 [2] 如果 这 拉 向上 是 一个 被动的 电路
. 如果 这 拉 向上 是 一个 起作用的 电路, 请 咨询 这
制造 的 这 其它 设备.
这 计算 为 这 最大
电阻 值 是 显示 在 这 等式 [1] 在下. 在 powered 向下 模式, 低
电源 消耗量 是 达到 用 制造 这 电阻 值 作 大 作 可能. 等式 [1] 确定 这
最大 值 的 r 当 ensuring 那 scdt stays 更小的 比 v
IL
的 这 外部 碎片 当 scdt 变得 在 高
阻抗. 这 小 电流 流 在 这 sii141b 内部的 拉 向下 电阻 是 ignored 在 等式 [1].
等式 [1a]
ILCCMAX
向上拉
VV
RR
R
<×
+
−
等式 [1b]
()
()
−
×
<
−
ILcc
ILUp拉
VV
VR
R
最大值
例子 :
拉-向上 电阻 值 是 10 k
Ω
, v
IL
的 外部 碎片 是 0.8v, 和 最大 vcc 是 3.6v
r < 2,857ohms = (10 k
Ω
x 0.8v) / (3.6v – 0.8v)
这 电阻 值 应当 是 小 比 2,857 k
Ω
.
这 计算 为 这 最小
电阻 值 是 显示 在 这 等式 [2]. 这 最小 值 是 设置 所以 这
scdt 电压 超过 v
IH
的 这 外部 碎片 在 正常的 运作. 在 等式 [2], 这 小 电流 流 在
这 sii141b 内部的 拉-向下 电阻 是 ignored.
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