SiP41101
vishay siliconix
新 产品
文档号码: 72377
s-31578—rev.一个, 11-8月-03
www.vishay.com
5
函数的块 图解
图示 2.
在
SD
地
V
DD
输出
H
S
H
S
L
输出
L
V
DD
激励
V
BBM
-
+
欠压
Levelshift
同步 en
详细地 运作
破裂-在之前-制造 函数
这 sip41101 有 一个 内部的 破裂-在之前-制造 函数 至
确保 那 两个都 高-一侧 和 低-一侧 mosfets 是 不
转变 在 在这 一样 时间. 这 高-一侧 驱动 (输出
H
) 将 不
转变 在 直到 这 低-一侧 门 驱动 电压 (量过的 在 这
输出
L
管脚) 是 较少 比 v
BBM
, 因此 ensuring 那 这 低-一侧
场效应晶体管 是转变 止. 这 低-一侧 驱动 (输出
L
) 将 不 转变
在 直到 这 电压 在 这 场效应晶体管 half-桥 输出
(量过的 在这 s
L
管脚) 是 较少 比 v
BBM
, 因此 ensuring 那
这 高-一侧 场效应晶体管 是 转变
下面 电压 lockout 函数
这 sip41101 有 一个 内部的 下面-电压 lockout 特性 至
阻止驱动 这 场效应晶体管 门 当 这 供应 电压 (在
V
DD
) 是 较少 比 这 下面-电压 lockout 规格
(v
UVL
). 这个 阻止 这 输出 mosfets 从 正在 转变
在 没有 sufficient 门 电压 至 确保 它们 是 全部地 在.
那里 是 hysteresis 包含 在 这个 特性 至 阻止 lockout
从 cycling 在 和 止.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
100
10
500
100
20
1000200
电流 (毫安)
频率 (khz)
50
0.3 101
上升 和 下降 时间 (ns)
加载 电容 (nf)
t
r(outl)
t
f(outh)
t
f(outl)
上升 和 下降 时间 vs. c
加载
3
50
40
30
20
10
0
t
r(outh)
I
DD
供应 电流 vs. 频率
: 点此下载
