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资料编号:609021
 
资料名称:2SJ355
 
文件大小: 67.67K
   
说明
 
介绍:
P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SWITCHING
 
 


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2SJ355
2
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
= –30 v, v
GS
= 0 –10
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= –16/+10 v, v
DS
= 0
±
10
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= –10 v, i
D
= –1 毫安 –1.0 –1.5 –2.0 V
向前 转移 admittance |y
fs
|V
DS
= –10 v, i
D
= –1.0 一个 1.0 S
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= –4 v, i
D
= –1.0 一个 0.50 0.60
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)2
V
GS
= –10 v, i
D
= –1.0 一个 0.26 0.35
输入 电容 C
iss
V
DS
= –10 v, v
GS
= 0, 300 pF
输出 电容 C
oss
f = 1.0 mhz
245 pF
反转 转移 电容 C
rss
120 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= –25 v, i
D
= –1.0 一个 5.5 ns
上升 时间 t
r
V
gs(在)
= –10 v
32 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
R
G
= 10
, r
L
= 25
110 ns
下降 时间 t
f
130 ns
门 输入 承担 Q
G
V
DS
= –24 v, 12.2 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
GS
= –10 v,
1.2 nC
门 至 流 承担 Q
GD
I
D
= –1.8 一个, i
G
= –2 毫安
4.6 nC
内部的 二极管 反转 恢复 时间
t
rr
I
F
= 2.0 一个, 95 ns
内部的 二极管 反转 恢复 承担
Q
rr
di/dt = 50 一个/
µ
s
85 nC
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
dt - 减额 因素 - %
0
100
80
60
40
20
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
向前 偏差 safe 运行 范围
I
D
- 流 电流 - 一个
–0.5
–10
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
25 50 75 100 125 150
–5
–2
–1
–0.5
–0.2
–0.1
–0.05
–100–1 –2 –5 –10 –20 –50
pw = 100 ms
10 ms
1 ms
直流
单独的 脉冲波
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