1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
2SJ356
p-频道 mos 场效应晶体管
为 高-速 切换
文档 非. d11218ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
包装 维度 (在 mm)
1.6 ±0.2
4.5 ±0.1
0.42
±0.06
0.8 最小值
1.5
0.42
±0.06
0.47
±0.06
3.0
2.5 ±0.1
4.0 ±0.25
0.41
+0.03
–0.05
1.5 ±0.1
S
D
G
相等的 电路
源 (s)
内部的
二极管
门
保护
二极管
门 (g)
流 (d)
管脚 连接
s:
d:
g:
源
流
门
标记: pr
这 2sj356 是 一个 p-频道 mos 场效应晶体管 的 一个 vertical 类型 和 是
一个 切换 元素 那 能 是 直接地 驱动 用 这 输出 的 一个
ic 运行 在 5 v.
这个 产品 有 一个 低 在 阻抗 和 superb 切换
特性 和 是 完美的 为 驱动 这 actuators 和 直流/直流
转换器.
特性
• 能 是 直接地 驱动 用 5-v ic
• 低 在 阻抗
R
ds(在)
= 0.95
Ω
最大值 @v
GS
= –4 v, i
D
= –1.0 一个
R
ds(在)
= 0.50
Ω
最大值 @v
GS
= –10 v, i
D
= –1.0 一个
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
V
GS
= 0 –60 V
门 至 源 电压 V
GSS
V
DS
= 0 –20/+10 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
±
2.0 一个
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
PW
≤
10 ms
±
4.0 一个
职责 循环
≤
1 %
总的 电源 消耗 P
T
16 cm
2
×
0.7 mm, 陶瓷的 基质 使用 2.0 W
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
这 内部的 二极管 连接 在 这 门 和 源 的 这个 产品 是 至 保护 这 产品 从 静态的
electricity. 如果 这 产品 是 使用 在 一个 电路 在哪里 这 评估 电压 的 这 产品 将 是 超过, 连接
一个 保护 电路.
引领 足够的 preventive measures 相反 静态的 electricity 当 处理 这个 产品.
这 信息 在 这个 文档 是 主题 至 改变 没有 注意.
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