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资料编号:609027
 
资料名称:2SJ317
 
文件大小: 38.77K
   
说明
 
介绍:
Silicon P-Channel MOS FET
 
 


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2SJ317
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
–12 V
门 至 源 电压 V
GSS
–7 V
流 电流 I
D
±
2A
流 顶峰 电流 I
d(脉冲波)
*
1
±
4A
身体 至 流 二极管 反转 流 电流 I
DR
2A
频道 消耗 Pch*
2
1W
频道 温度 Tch 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
注释: 1. PW
100
µ
s, 职责 循环
10%
2. 值 在 这 alumina 陶瓷的 板 (12.5
×
20
×
0.7 mm).
3. 标记 是 “ny”.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
–12 V I
D
= –1 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
7——V I
G
=
±
10
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 截止 电流 I
GSS
——
±
5
µ
AV
GS
=
±
6.5 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
——–1
µ
AV
DS
= –8 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
–0.4 –1.4 V I
D
= –100
µ
一个, v
DS
= –5 v
静态的 流 至 源 在 状态 R
ds(在)1
0.4 0.7
I
D
= –0.5 a*
1
, v
GS
= –2.2 v
阻抗 R
ds(在)2
0.28 0.35
I
D
= –1 a*
1
, v
GS
= –4 v
向前 转移 admittance |y
fs
| 1.0 2.3 S I
D
= –1 a*
1
, v
DS
= –5 v
输入 电容 Ciss 63 pF V
DS
= –5 v, v
GS
= 0,
输出 电容 Coss 180 pF f = 1 mhz
反转 转移 电容 Crss 23 pF
转变-在 时间 t
500 ns I
D
= –0.2 a*
1
, vin = –4 v,
转变-止 时间 t
2860 ns R
L
= 51
便条: 1. 脉冲波 测试
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