2kbp005m thru 2kbp10m, 3n253 thru 3n259
文档 号码 88532
08-jul-05
vishay 半导体
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3
包装 外形 维度 在 英寸 (毫米)
图示 3. 典型 向前 特性 每 leg
图示 4. 典型 反转 leakage 特性 每 leg
Instantaneous 向前 电压 (v)
Instantaneous 向前 电流 (一个)
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.01
0.1
1
10
20
T
J
=25°C
脉冲波 宽度 = 300
µ
s
1% 职责 循环
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
Instantaneous 反转 电流 (
µ
一个)
0
20
40
60
80
100
0.01
0.1
1
10
100
T
J
= 100°C
T
J
=25°C
T
J
= 125°C
图示 5. 典型 junction 电容 每 leg
反转 电压 (v)
接合面 电容 (pf)
0.1
1
10
100
1
10
100
T
J
=25°C
f = 1.0 MH
Z
Vsig = 50mvp-p
0.125 x 45
o
(3.2)
0.600 (15.24)
0.560 (14.22)
0.034 (0.86)
0.028 (0.76)
0.105 (2.67)
0.085 (2.16)
0.160 (4.1)
0.140 (3.6)
0.060
(1.52)
极性 显示 在 front 一侧 的 情况:
积极的 含铅的 用 beveled corner
0.460 (11.68)
0.50 (12.7) 最小值
0.420 (10.67)
0.500 (12.70)
0.460 (11.68)
60
(15.2)
最小值
dia.
0.200 (5.08)
0.180 (4.57)
情况 样式 KBPM
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