SEMITRANS
TM
3
IGBT Modules
SKM 150GB123D
SKM 150GAL123D
SKM 150GAR123D
特性
!
"! #
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( ) # *+
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/0
典型 产品
#
GB GAL GAR
绝对 最大 比率
1
2 /3 4* #
标识 情况 值 单位
IGBT
*5
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*
1
2 /3 70 4* .30 ..0 +
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2 . /00 +
95
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1
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1
1
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Inverse 二极管
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1
2 /3 70 4* .30 .00 +
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(8
2 . /00 +
&放大;
(
2 .0 A ?一个 1
;
2 .30 4* ..00 +
Freewheeling 二极管
&放大;
(
1
2 /3 70 4* /00 .b3 +
&放大;
(8
2 . B00 +
&放大;
(
2 .0 A ?一个 1
;
2 .30 4* .>30 +
特性
1
2 /3 4* #
标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
IGBT
95
95
2
*5
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*
2 > + >3 33 $3
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*5
95
2 0
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1
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2 /3 ./3 4* 0. 0B +
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2 /3 ./3 4* .> .$ .$ .7
*5
95
2 .3 1
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2 /3 ./3 4* .. .3 .> .c D
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*
2 .00 +
95
2 .3 /3 b. B BE
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*
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*
03 0$ (
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8
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2 /3 ./3 4* 0B3 03 D
**
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8
9
2 8
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2 $7 D 1
;
2 ./3 4* 70 .$0
##
95
2 : .3 >00 3/0
#
E0 .00
5
5
##
.b .. H
Inverse 二极管
(
2
5*
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(
2 .00 +A
95
2 0 一个 1
;
2 /3 ./3
4*
/ .7 /3
1
1
;
2 ./3 4* ./
1
1
;
2 ./3 4* 7 .. D
&放大;
88
&放大;
(
2 .00 +A 1
;
2 /3 ./3 4* B3 30 +
I
J 2 .000 +JK 3 .> K*
5
95
2 H
FWD
(
2
5*
&放大;
(
2 .30 +A
95
2 0 1
;
2 /3 ./3 4* / .7 /3
1
1
;
2 ./3 4* ./
1
1
;
2 ./3 4* 3 7E D
&放大;
88
&放大;
(
2 .00 +A 1
;
2 /3 ./3 4* >0 $3 +
I
J 2 +JK 3 .3 K*
5
95
2 H
热的 特性
8
;'
&放大;9-1 0.3 LJM
8
;',
&放大; , 0B LJM
8
;'(,
(m, 0/3 LJM
8
'
00B7 LJM
机械的 数据
N $ B 3
$ /3 3
b/3
SKM 150GB123D
1 26-09-2005 RAA © 用 SEMIKRON
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