SKP02N120_集成电路资料查询网

SKP02N120
SKB02N120
电源 半导体
8jul-02
V
GE
,
门
-
发射级 电压
0nC 5nC 10nC 15n
0V
5V
10V
15V
20V
U
CE
=960V
C
,
电容
0V 10V 20V 30V
10pF
100pF
C
rss
C
oss
C
iss
Q
GE
,
门 承担
V
CE
,
集电级
-
发射级 电压
图示 17. 典型 门 承担
(
I
C
= 2a)
图示 18. 典型 电容 作 一个
函数 的 集电级-发射级 电压
(
V
GE
= 0v,
f
= 1mhz)
t
sc
,
短的 电路 承受 时间
10V 11V 12V 13V 14V 15V
0
µ
s
5
µ
s
10
µ
s
15
µ
s
20
µ
s
25
µ
s
30
µ
s
I
c(sc)
,
短的 电路 集电级 电流
10V 12V 14V 16V 18V 20V
0A
10A
20A
30A
40A
V
GE
,
门
-
发射级 电压
V
GE
,
门
-
发射级 电压
图示 19. 短的 电路 承受 时间 作 一个
函数 的 门-发射级 电压
(
V
CE
= 1200v, 开始 在
T
j
= 25
°
c)
图示 20. 典型 短的 电路 集电级
电流 作 一个 函数 的 门-发射级 电压
(100v
≤
V
CE
≤
1200v,
T
C
= 25
°
c,
T
j
≤
150
°
c)

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SKP02N120 SKB02N120 电源半导体 8jul-02 V GE , 门 - 发射级电压 0nC 5nC 10nC 15n 0V 5V 10V 15V 20V U CE =960V C , 电容 0V 10V 20V 30V 10pF 100pF C rss C oss C iss Q GE , 门承担 V CE , 集电级 - 发射级电压图示 17. 典型门承担 ( I C = 2a) 图示 18. 典型电容作一个函数的集电级-发射级电压 ( V GE = 0v, f = 1mhz) t sc , 短的电路承受时间 10V 11V 12V 13V 14V 15V 0 µ s 5 µ s 10 µ s 15 µ s 20 µ s 25 µ s 30 µ s I c(sc) , 短的电路集电级电流 10V 12V 14V 16V 18V 20V 0A 10A 20A 30A 40A V GE , 门 - 发射级电压 V GE , 门 - 发射级电压图示 19. 短的电路承受时间作一个函数的门-发射级电压 ( V CE = 1200v, 开始在 T j = 25 ° c) 图示 20. 典型短的电路集电级电流作一个函数的门-发射级电压 (100v ≤ V CE ≤ 1200v, T C = 25 ° c, T j ≤ 150 ° c)

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