SLx 24c01/02/p
半导体 组 11 1998-07-27
5 写 行动
Changing 的 这 可擦可编程只读存储器 数据 是 initiated 用 这 主控 和 这 command 字节 csw.
取决于 在 这 状态 的 这 写 保护 管脚 WP 和 的 这 保护 位 (谈及
至
chapter 7
页 保护 模式
TM
)eitheronebyte(bytewrite)orupto8bytes
(页 写) 是 修改 在 一个 程序编制 程序.
5.1 字节 写
图示 7
字节 写 Sequence
这 擦掉/写 循环 是 finished 最新的 之后 8 ms. Acknowledge polling 将 是 使用 为
速 增强 在 顺序 至 表明 这 终止 的 这 擦掉/写 循环 (谈及 至
chapter 5.3
Acknowledge polling).
地址 设置
之后 一个 开始 情况 这 主控 transmits 这 碎片 选择
写 字节 csw. 这 可擦可编程只读存储器 acknowledges 这 CSW 字节
在 这 ninth 时钟 循环. 这 下列的 字节 和 这
可擦可编程只读存储器 地址 (a0 至 A6 或者 a7) 是 承载 在 这 地址
计数器 的 这 可擦可编程只读存储器 和 acknowledged 用 这 可擦可编程只读存储器.
传递 的 数据
最终 这 主控 transmits 这 数据 字节 这个 是 也
acknowledged 用 这 可擦可编程只读存储器 在 这 内部的 缓存区.
程序编制 循环
然后 这 主控 应用 一个 停止 情况 这个 开始 这
内部的 程序编制 程序. 这 数据 字节 是 写 在
thememorylocationaddressedintheeeabyte(a0toa6or
a7). 这 程序编制 程序 组成 的 一个 内部
安排时间 擦掉/写 循环. 在 这 第一 步伐, 这 选择 字节 是
erased 至 “1”. 和 这 next 内部的 步伐, 这 addressed 字节
是 写 符合 至 这 内容 的 这 缓存区.
command 字节
CSW
S
P
C
K
一个
C
K
一个
S
T
一个
R
T
T
P
O
S
可擦可编程只读存储器 地址
EEA
数据 bytebus activity
主控
sda 线条
总线 activity
可擦可编程只读存储器
IED02129
C
K
一个
0
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