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资料编号:612743
 
资料名称:SM25JZ51
 
文件大小: 199.02K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR ILICON PLANAR TYPE
 
 


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sm25gz51,sm25jz51
2001-07-13
2
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
repetitive 顶峰 止
状态 电流 I
DRM
V
DRM
= 评估
20 µa
I t2 (+) , 门 (+)
1.5
II t2 (+) , 门 (
)
1.5
门 触发 电压
III
V
GT
V
D
= 12v
R
L
= 20
t2 (
) , 门 (
)
1.5
V
I t2 (+) , 门 (+)
30
II t2 (+) , 门 (
)
30
门 触发 电流
III
I
GT
V
D
= 12v
R
L
= 20
t2 (
) , 门 (
)
30
毫安
顶峰 在
状态 电压 V
TM
I
TM
= 40a
1.5 V
门 非
触发 电压 V
GD
V
D
= 评估, tc = 125°c 0.2
V
支持 电流 I
H
V
D
= 12v, i
TM
= 1a
60 毫安
热的 阻抗 R
th (j
c)
接合面 至 情况, 交流
1.3 °c / w
核心的 比率 的 上升 的 止
状态 电压 dv / dt
V
DRM
= 评估, t
j
= 125°c
exponential 上升
300
v / µs
核心的 比率 的 上升 的 止
状态 电压
在 commutation
(dv / dt) c
V
DRM
= 400v, t
j
= 125°c
(di / dt) c =
15a / ms
10
v / µs
标记
号码 标识 MARK
sm25gz51 m25gz51
*1 类型
sm25jz51 m25jz51
*2
例子
8a : january 1998
8b : 二月 1998
8l : 12月 1998
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