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资料编号:612870
 
资料名称:SM3GZ47
 
文件大小: 212.73K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
 
 


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sm3gz47,sm3jz47
2001-07-13
2
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
repetitive 顶峰 止
状态
电流
I
DRM
V
DRM
= 评估
20 µa
I t2 (+), 门 (+)
1.5
II t2 (+), 门 (
)
1.5
iii t2 (
), 门 (
)
1.5
门 触发 电压
IV
V
GT
V
D
= 12v
R
L
= 20
t2 (
), 门 (+)
V
I t2 (+), 门 (+)
20
II t2 (+), 门 (
)
20
iii t2 (
), 门 (
)
20
门 触发 电流
IV
I
GT
V
D
= 12v
R
L
= 20
t2 (
), 门 (+)
毫安
顶峰 在
状态 电压 V
TM
I
TM
= 4.5a
1.5 V
门 非
触发 电压 V
GD
V
D
= 评估, tc = 125°c 0.2
V
支持 电流 I
H
V
D
= 12v, i
TM
= 1a
30 毫安
热的 阻抗 R
th (j
c)
接合面 至 情况, 交流
4.2 °c / w
核心的 比率 的 上升 的
状态 电压
dv / dt
V
DRM
= 评估, t
j
= 125°c
exponential 上升
300
v / µs
核心的 比率 的 上升 的
状态 电压 在
Commutation
(dv / dt) c
V
DRM
= 400v, t
j
= 125°c
(di /dt) c =
2.0a / ms
10
v / µs
标记
号码 标识 MARK
* 1 toshiba 产品 mark
sm3gz47 m3gz47
* 2 类型
sm3jz47 m3jz47
* 3
例子
8a : january 1998
8b : febrary 1998
8l : 12月 1998
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