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资料编号:613392
 
资料名称:SM6J45
 
文件大小: 232.25K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA BI−DIRECTIONAL TRIODE THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE
 
 


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sm6g45,sm6j45,sm6g45a,sm6j45a
2001-07-13
2
电的 特性
(ta = 25°c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
repetitive 顶峰 止
状态
电流
I
DRM
V
DRM
= 评估, t
j
= 125°c
2 毫安
I t2 (+), 门 (+)
2
II t2 (+), 门 (
)
2
iii t2 (
), 门 (
)
2
SM6G45
SM6J45
iv t2 (
), 门 (+)
I t2 (+), 门 (+)
1.5
II t2 (+), 门 (
)
1.5
iii t2 (
), 门 (
)
1.5
触发
电压
SM6G45A
SM6J45A
IV
V
GT
V
D
= 12v
R
L
= 20
t2 (
), 门 (+)
V
I t2 (+), 门 (+)
30
II t2 (+), 门 (
)
30
iii t2 (
), 门 (
)
30
SM6G45
SM6J45
iv t2 (
), 门 (+)
I t2 (+), 门 (+)
20
II t2 (+), 门 (
)
20
iii t2 (
), 门 (
)
20
触发
电流
SM6G45A
SM6J45A
IV
I
GT
V
D
= 12v
R
L
= 20
t2 (
), 门 (+)
毫安
顶峰 在
状态 电压 V
TM
I
TM
= 9a
1.5 V
门 非
触发 电压 V
GD
V
D
= 评估, tc = 125°c 0.2
V
支持 电流 I
H
V
D
= 12v, i
TM
= 1a
50 毫安
热的 阻抗 R
th (j
c)
接合面 至 情况, 交流
2.5 °c / w
SM6G45
SM6J45
10
核心的 比率 的
上升 的 止
状态 电压
Commutation
SM6G45A
SM6J45A
(dv / dt) c
V
DRM
= 400v,
(di / dt) c =
3.3a / ms
T
j
= 125°c
4
v / µs
标记
号码 标识 MARK
sm6g45, sm6g45a M6G45
* 1
sm6j45, sm6j45a M6J45
* 2
类型
sm6g45a, sm6j45a 一个
* 3
例子
8a : january 1998
8b : febrary 1998
8l : 12月 1998
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