SMA5127_集成电路资料查询网

n-ch p-ch n-ch
n-ch p-ch p-ch
n-ch p-ch
Re
(yfs)
-i
D
特性 (典型) safe 运行 范围 (soa)
电容-v
DS
特性 (典型)
I
DR
-v
SD
特性 (典型) P
T
-t
一个
特性
典型的 曲线
SMA5127
(t
一个
=25
°
c)
n 频道 p 频道
标识 规格
单位 情况
规格
单位 情况
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
V
(br)dss
60 V I
D
=100
µ
一个, v
GS
=0V –60 V I
D
=–100
µ
一个, v
GS
=0V
I
GSS
±
10
µ
AV
GS
=
±
20V 10
µ
AV
GS
= 20V
I
DSS
100
µ
AV
DS
=60v, v
GS
=0V –100
µ
AV
DS
=–60v, v
GS
=0V
V
TH
1.0 2.0 V V
DS
=10v, i
D
=250
µ
一个 –1.0 –2.0 V V
DS
=–10v, i
D
=–250
µ
一个
Re
(yfs)
2.5 S V
DS
=10v, i
D
=2A 3 S V
DS
=–10v, i
D
=–2A
R
ds(在)
0.55
Ω
V
GS
=4v, i
D
=2A 0.55
Ω
V
GS
=–10v, i
D
=–2A
Ciss 150 pF
V
DS
=10v, f=1.0mhz,
320 pF
V
DS
=–10v, f=1.0mhz,
Coss 70 pF
V
GS
=0V
130 pF
V
GS
=0V
Crss 15 pF 40 pF
td
(在)
12 ns
I
D
=2a, v
DD
20v,
20 ns
I
D
=
–
2a, v
DD
–
20v,
t
r
40 ns
R
L
=10
Ω
, v
GS
=5V
95 ns
R
L
=10
Ω
, v
GS
=
–
5V
td
(止)
40 ns
看 图. 3 在 页 16.
70 ns
看 图. 4 在 页 16.
tf 25 ns 60 ns
V
SD
1.2 V I
SD
=5a, v
GS
=0V 1.1 V I
SD
=–4a, v
GS
=0V
I
SD
=2a, v
GS
=0V I
SD
=–2a, v
GS
=0V
t
rr
75 ns
di/dt=100a/
µ
s
75 ns
di/dt=100a/
µ
s
0.1
0.05 0.1 1
1
10
I
D
(一个)
re (yfs) (s)
4
T
一个
=–40
°
C
25
°
C
125
°
C
(v
DS
=10v)
0 1020 304050
1
100
1000
V
DS
(v)
电容 (pf)
10
Ciss
Coss
Crss
V
GS
=0V
f=1MHz
0102015
2
0
8
10
V
DS
(v)
V
GS
(v)
5
4
6
I
D
=4A
2A
1A
1
0.1
10 100
1
10
I
D
(一个)
V
DS
(v)
100
µ
s
1ms
R
ds (在)
限制
10ms
(tc=25
°
c)
0.1
–0.1
1
10
I
D
(一个)
re (yfs) (s)
–1 –4–0.05
T
一个
=–40
°
C
25
°
C
125
°
C
(v
DS
=–10v)
0 –10 –20 –30
–40
–50
10
100
1000
V
DS
(v)
电容 (pf)
1
Ciss
Coss
Crss
V
GS
=0V
f=1MHz
0 –20
V
DS
(v)
V
GS
(v)
–5
–10
–8
–6
0
–4
–2
–10 –15
I
D
=–4A
–1A
–2A
–1
–0.1
–10 –100
–1
–10
I
D
(一个)
V
DS
(v)
100
µ
s
1ms
10ms
R
ds (在)
限制
(tc=25
°
c)
25
30
20
15
10
5
0
没有 散热器
和 极大的 散热器
和 silicone grease
自然的 冷却
所有 电路 运行
0 50 100 150
T
一个
(
°
c)
P
T
(w)
电的 特性

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n-ch p-ch n-ch n-ch p-ch p-ch n-ch p-ch Re (yfs) -i D 特性 (典型) safe 运行范围 (soa) 电容-v DS 特性 (典型) I DR -v SD 特性 (典型) P T -t 一个特性典型的曲线 SMA5127 (t 一个 =25 ° c) n 频道 p 频道标识规格单位情况规格单位情况最小值典型值最大值最小值典型值最大值 V (br)dss 60 V I D =100 µ 一个, v GS =0V –60 V I D =–100 µ 一个, v GS =0V I GSS ± 10 µ AV GS = ± 20V 10 µ AV GS = 20V I DSS 100 µ AV DS =60v, v GS =0V –100 µ AV DS =–60v, v GS =0V V TH 1.0 2.0 V V DS =10v, i D =250 µ 一个 –1.0 –2.0 V V DS =–10v, i D =–250 µ 一个 Re (yfs) 2.5 S V DS =10v, i D =2A 3 S V DS =–10v, i D =–2A R ds(在) 0.55 Ω V GS =4v, i D =2A 0.55 Ω V GS =–10v, i D =–2A Ciss 150 pF V DS =10v, f=1.0mhz, 320 pF V DS =–10v, f=1.0mhz, Coss 70 pF V GS =0V 130 pF V GS =0V Crss 15 pF 40 pF td (在) 12 ns I D =2a, v DD 20v, 20 ns I D = – 2a, v DD – 20v, t r 40 ns R L =10 Ω , v GS =5V 95 ns R L =10 Ω , v GS = – 5V td (止) 40 ns 看图. 3 在页 16. 70 ns 看图. 4 在页 16. tf 25 ns 60 ns V SD 1.2 V I SD =5a, v GS =0V 1.1 V I SD =–4a, v GS =0V I SD =2a, v GS =0V I SD =–2a, v GS =0V t rr 75 ns di/dt=100a/ µ s 75 ns di/dt=100a/ µ s 0.1 0.05 0.1 1 1 10 I D (一个) re (yfs) (s) 4 T 一个 =–40 ° C 25 ° C 125 ° C (v DS =10v) 0 1020 304050 1 100 1000 V DS (v) 电容 (pf) 10 Ciss Coss Crss V GS =0V f=1MHz 0102015 2 0 8 10 V DS (v) V GS (v) 5 4 6 I D =4A 2A 1A 1 0.1 10 100 1 10 I D (一个) V DS (v) 100 µ s 1ms R ds (在) 限制 10ms (tc=25 ° c) 0.1 –0.1 1 10 I D (一个) re (yfs) (s) –1 –4–0.05 T 一个 =–40 ° C 25 ° C 125 ° C (v DS =–10v) 0 –10 –20 –30 –40 –50 10 100 1000 V DS (v) 电容 (pf) 1 Ciss Coss Crss V GS =0V f=1MHz 0 –20 V DS (v) V GS (v) –5 –10 –8 –6 0 –4 –2 –10 –15 I D =–4A –1A –2A –1 –0.1 –10 –100 –1 –10 I D (一个) V DS (v) 100 µ s 1ms 10ms R ds (在) 限制 (tc=25 ° c) 25 30 20 15 10 5 0 没有散热器和极大的散热器和 silicone grease 自然的冷却所有电路运行 0 50 100 150 T 一个 ( ° c) P T (w) 电的特性

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