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SMP04–SPECIFICATIONS
电的 特性
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
线性 错误 0.01 %
缓存区 补偿 电压 V
OS
V
在
= 6 v –10
±
2.5 +10 mV
支撑 步伐 V
HS
V
在
= 6 v, t
一个
= +25
°
c 至 +85
°
c2.54mv
V
在
= 6 v, t
一个
= –40
°
C5mV
droop 比率
∆
v/
∆
tV
在
= 6 v, t
一个
= +25
°
C 2 25 mv/s
输出 源 电流
1
I
源
V
在
= 6 v 1.2 毫安
输出 下沉 电流
1
I
下沉
V
在
= 6 v 0.5 毫安
输出 电压 范围 OVR R
L
= 20 k
Ω
0.06 10.0 V
R
L
= 10 k
Ω
0.06 9.5 V
逻辑 特性
逻辑 输入 高 电压 V
INH
2.4 V
逻辑 输入 低 电压 V
INL
0.8 V
逻辑 输入 电流 I
在
0.5 1
µ
一个
动态 效能
2
acquisition 时间
3
t
AQ
T
一个
= +25
°
c, 0 v 至 10 v 步伐 至 0.1% 3.5 4.25
µ
s
–40
°
C
≤
T
一个
≤
+85
°
C 3.75 5.25
µ
s
acquisition 时间
3
t
AQ
T
一个
= +25
°
c, 0 v 至 10 v 步伐 至 0.01% 9
µ
s
支撑 模式 安排好 时间 t
H
至 1 mv 1
µ
s
回转 比率
4
SR R
L
= 20 k
Ω
34 v/
µ
s
电容的 加载 稳固 C
L
<30% 越过 500 pF
相似物 串扰 0 v 至 10 v 步伐 –80 dB
供应 特性
电源 供应 拒绝 比率 PSRR 10.8 v
≤
V
DD
≤
13.2 v 60 75 dB
供应 电流 I
DD
47 毫安
电源 消耗 P
DIS
84 mW
电的 特性
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
线性 错误 0.01 %
缓存区 补偿 电压 V
OS
V
在
= 0 v –10
±
2.5 +10 mV
支撑 步伐 V
HS
V
在
= 0 v, t
一个
= +25
°
c 至 +85
°
c2.54mv
V
在
= 0 v, t
一个
= –40
°
C5mV
droop 比率
∆
v/
∆
tV
在
= 0 v, t
一个
= +25
°
C 2 25 mv/s
输出 阻抗 R
输出
1
Ω
输出 源 电流
1
I
源
V
在
= 0 v 1.2 毫安
输出 下沉 电流
1
I
下沉
V
在
= 0 v 0.5 毫安
输出 电压 范围 OVR R
L
= 20 k
Ω
–3.0 +3.0 V
逻辑 特性
逻辑 输入 高 电压 V
INH
2.4 V
逻辑 输入 低 电压 V
INL
0.8 V
逻辑 输入 电流 I
在
0.5 1
µ
一个
动态 效能
2
acquisition 时间
3
t
AQ
–3 v 至 +3 v 步伐 至 0.1% 3.6 11
µ
s
acquisition 时间
3
t
AQ
–3 v 至 +3 v 步伐 至 0.01% 9
µ
s
支撑 模式 安排好 时间 t
H
至 1 mv 1
µ
s
回转 比率
5
SR R
L
= 20 k
Ω
3v/
µ
s
电容的 加载 稳固 C
L
<30% 越过 500 pF
供应 特性
电源 供应 拒绝 比率 PSRR
±
5 v
≤
V
DD
≤
±
6 v 60 75 dB
供应 电流 I
DD
3.5 5.5 毫安
电源 消耗 P
DIS
55 mW
注释
1
输出 是 有能力 的 sinking 和 sourcing 在 20 毫安, 但是 线性 和 补偿 是 有保证的 在 指定 加载 水平.
2
所有 输入 控制 信号 是 指定 和 t
R
= t
F
= 5 ns (10% 至 90% 的 +5 v) 和 安排时间 从 一个 电压 水平的 的 1.6 v.
3
这个 参数 是 有保证的 没有 测试.
4
回转 比率 是 量过的 在 这 样本 模式 和 一个 0 v 至 10 v 步伐 从 20% 至 80%.
5
回转 比率 是 量过的 在 这 样本 模式 和 一个 –3 v 至 +3 v 步伐 从 20% 至 80%.
规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
rev. d
–2–
(@ v
DD
= +12.0 v, v
SS
= dgnd = 0 v, r
L
=  非 加载, t
一个
= 运行 温度 范围
指定 在 绝对 最大 比率, 除非 否则 指出.)
(@ v
DD
= +5.0 v, v
SS
= –5.0 v, dgnd = 0.0 v, r
L
=  非 加载, t
一个
= 运行 温度
范围 指定 在 绝对 最大 比率, 除非 否则 指出.)

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SMP04–SPECIFICATIONS 电的特性参数标识情况最小值典型值最大值单位线性错误 0.01 % 缓存区补偿电压 V OS V 在 = 6 v –10 ± 2.5 +10 mV 支撑步伐 V HS V 在 = 6 v, t 一个 = +25 ° c 至 +85 ° c2.54mv V 在 = 6 v, t 一个 = –40 ° C5mV droop 比率 ∆ v/ ∆ tV 在 = 6 v, t 一个 = +25 ° C 2 25 mv/s 输出源电流 1 I 源 V 在 = 6 v 1.2 毫安输出下沉电流 1 I 下沉 V 在 = 6 v 0.5 毫安输出电压范围 OVR R L = 20 k Ω 0.06 10.0 V R L = 10 k Ω 0.06 9.5 V 逻辑特性逻辑输入高电压 V INH 2.4 V 逻辑输入低电压 V INL 0.8 V 逻辑输入电流 I 在 0.5 1 µ 一个动态效能 2 acquisition 时间 3 t AQ T 一个 = +25 ° c, 0 v 至 10 v 步伐至 0.1% 3.5 4.25 µ s –40 ° C ≤ T 一个 ≤ +85 ° C 3.75 5.25 µ s acquisition 时间 3 t AQ T 一个 = +25 ° c, 0 v 至 10 v 步伐至 0.01% 9 µ s 支撑模式安排好时间 t H 至 1 mv 1 µ s 回转比率 4 SR R L = 20 k Ω 34 v/ µ s 电容的加载稳固 C L <30% 越过 500 pF 相似物串扰 0 v 至 10 v 步伐 –80 dB 供应特性电源供应拒绝比率 PSRR 10.8 v ≤ V DD ≤ 13.2 v 60 75 dB 供应电流 I DD 47 毫安电源消耗 P DIS 84 mW 电的特性参数标识情况最小值典型值最大值单位线性错误 0.01 % 缓存区补偿电压 V OS V 在 = 0 v –10 ± 2.5 +10 mV 支撑步伐 V HS V 在 = 0 v, t 一个 = +25 ° c 至 +85 ° c2.54mv V 在 = 0 v, t 一个 = –40 ° C5mV droop 比率 ∆ v/ ∆ tV 在 = 0 v, t 一个 = +25 ° C 2 25 mv/s 输出阻抗 R 输出 1 Ω 输出源电流 1 I 源 V 在 = 0 v 1.2 毫安输出下沉电流 1 I 下沉 V 在 = 0 v 0.5 毫安输出电压范围 OVR R L = 20 k Ω –3.0 +3.0 V 逻辑特性逻辑输入高电压 V INH 2.4 V 逻辑输入低电压 V INL 0.8 V 逻辑输入电流 I 在 0.5 1 µ 一个动态效能 2 acquisition 时间 3 t AQ –3 v 至 +3 v 步伐至 0.1% 3.6 11 µ s acquisition 时间 3 t AQ –3 v 至 +3 v 步伐至 0.01% 9 µ s 支撑模式安排好时间 t H 至 1 mv 1 µ s 回转比率 5 SR R L = 20 k Ω 3v/ µ s 电容的加载稳固 C L <30% 越过 500 pF 供应特性电源供应拒绝比率 PSRR ± 5 v ≤ V DD ≤ ± 6 v 60 75 dB 供应电流 I DD 3.5 5.5 毫安电源消耗 P DIS 55 mW 注释 1 输出是有能力的 sinking 和 sourcing 在 20 毫安, 但是线性和补偿是有保证的在指定加载水平. 2 所有输入控制信号是指定和 t R = t F = 5 ns (10% 至 90% 的 +5 v) 和安排时间从一个电压水平的的 1.6 v. 3 这个参数是有保证的没有测试. 4 回转比率是量过的在这样本模式和一个 0 v 至 10 v 步伐从 20% 至 80%. 5 回转比率是量过的在这样本模式和一个 –3 v 至 +3 v 步伐从 20% 至 80%. 规格是主题至改变没有注意. rev. d –2– (@ v DD = +12.0 v, v SS = dgnd = 0 v, r L = 非加载, t 一个 = 运行温度范围指定在绝对最大比率, 除非否则指出.) (@ v DD = +5.0 v, v SS = –5.0 v, dgnd = 0.0 v, r L = 非加载, t 一个 = 运行温度范围指定在绝对最大比率, 除非否则指出.)

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