半导体 组
6 sep-13-1996
sn 7002
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs ,
T
j
= 25 °c
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
DS
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
一个
0.45
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 2.0
b
b 2.5
c
c 3.0
d
d 3.5
e
e 4.0
f
f 4.5
g
g 5.0
h
h 6.0
i
i 7.0
j
j 8.0
k
k 9.0
l
P
tot
= 0w
l 10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 一个 0.24
I
D
0
2
4
6
8
10
12
Ω
16
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
一个
2.0
b
b
2.5
c
c
3.0
d
d
3.5
e
e
4.0
f
f
4.5
g
g
5.0
h
h
6.0
i
i
7.0
j
j
8.0
k
k
9.0
l
l
10.0
典型值 转移 特性
I
D
= f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
一个
1.1
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 一个 1.0
I
D
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
S
0.40
g
fs
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