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rev. 6/25/03 sp3220 真实 +3.0 至 +5.0v rs-232 transceivers © 版权 2003 sipex 公司
阶段 4
— v
DD
转移 — 这 fourth 阶段 的 这 时钟
connects 这 负的 终端 的 c
2
至 地,
和 transfers 这个 积极的 发生 电压
横过 c
2
至 c
4
, 这 v
DD
存储 电容. 这个
电压 是 管制 至 +5.5v. 在 这个 电压,
这 内部的 振荡器 是 无能. 同时发生的
和 这 转移 的 这 电压 至 c
4
, 这 积极的
一侧 的 电容 c
1
是 切换 至 v
CC
和 这
负的 一侧 是 连接 至 地, 准许 这
承担 打气 循环 至 begin 又一次. 这 承担
打气 循环 将 continue 作 长 作 这
运算的 情况 为 这 内部的 振荡器
是 呈现.
自从 两个都 v
+
和 v
–
是 separately 发生
从 v
CC
; 在 一个 no–load 情况 v
+
和 v
–
将
是 对称的. older 承担 打气 approaches
那 发生 v
–
从 v
+
将 显示 一个 decrease 在
这 巨大 的 v
–
对照的 至 v
+
预定的 至 这
固有的 inefficiencies 在 这 设计.
这 时钟 比率 为 这 承担 打气 典型地
运作 在 250khz. 这 外部 电容 能
是 作 低 作 0.1
µ
f 和 一个 16v 损坏
电压 比率.
静电释放 容忍
这
SP3220
设备 包含 加固
静电释放 cells 在 所有 驱动器 输出 和 接受者
输入 管脚. 这 静电释放 结构 是 改进 在
我们的 previous 家族 为 更多 坚毅的 产品
和 环境 敏感的 至 electro-静态的
discharges 和 有关联的 过往旅客.
这 人 身体 模型 有 被 这 一般地
accepted 静电释放 测试 方法 为 半导体.
这个 方法 是 也 指定 在 mil-标准-883,
方法 3015.7 为 静电释放 测试. 这 premise 的
这个 静电释放 测试 是 至 simulate 这 人 身体’s
潜在的 至 store electro-静态的 活力 和
释放 它 至 一个 整体的 电路. 这
simulation 是 执行 用 使用 一个 测试 模型 作
显示 在
图示 14
. 这个 方法 将 测试 这
ic’s 能力 至 承受 一个 静电释放 瞬时
在 正常的 处理 此类 作 在 制造
areas 在哪里 这 ics tend 至 是 处理
frequently.
为 这 人 身体 模型, 这 电流
限制的 电阻 (r
S
) 和 这 源 电容
(c
S
) 是 1.5k
Ω
和 100pf, 各自.
V
CC
= +5v
–5V –5V
+5V
V
SS
存储 电容
V
DD
存储 电容
C
1
C
2
C
3
C
4
+
+
++
–
–
––
图示 9. 承担 打气 — 阶段 1
图示 10. 承担 打气 — 阶段 2
V
CC
= +5v
–10V
V
SS
存储 电容
V
DD
存储 电容
C
1
C
2
C
3
C
4
+
+
++
–
–
––
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