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进步 产品 数据手册
2
标识 参数 6/ 值 注释
vd1, vd2t
积极的 供应 电压
流 电压 8 v
Id1
Id2T
积极的 供应 电流
流 电流
流 电流
100 毫安
300mA
1/
P
d
电源 消耗 4 w 2/
vg1, vg2
ig1, ig2
负的 门
电压
门 电流
0 v 至 –3 v
5 毫安
vctrl1, vctrl2
ictrl1, ictrl2
控制 门
电压
门 电流
vd/2 至 –3 v
5 毫安
3/
P
在
V
在
rf 输入
sinusoidal 持续的 波 电源
10.7gb/s prbs 输入 电压 顶峰 至 顶峰
23 dbm
4 vpp
T
CH
运行 channel 温度 150
0
c4/ 5/
T
STG
存储 温度 -40 至 125
0
C
TGA4953EPU
注释:
1/ 使确信 这 结合体 的 vd 和 id 做 不 超过 最大 电源 消耗 比率.
2
/ 当 运作 在 这个 偏差 情况 和 一个 根基 加设护板 温度 的 80
0
c, 这 median 生命 是 减少.
3
/ 使确信 vctl1 从不 超过 vd1 和 使确信 vctrl2 从不 超过 vd2 在 偏差 向上 和 向下 sequences.
4
/ 这些 比率 应用 至 各自 单独的 场效应晶体管.
5
/ 接合面 运行 温度 将 直接地 影响 这 设备 median 时间 至 失败 (mttf). 为 最大
生命, 它 是 推荐 那 接合面 温度 是 maintained 在 这 最低 可能 水平.
6
/ 这些 比率 代表 这 最大 operable 值 为 这 设备.
最大 比率
便条: 设备 designated 作 epu 是 典型地 early 在 它们的 描绘 处理 较早的 至 finalizing 所有 电的 和 process
规格. 规格 是 主题 至 改变 没有 注意.
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