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资料编号:61965
 
资料名称:IS62C1024L-70T
 
文件大小: 65.72K
   
说明
 
介绍:
128K x 8 LOW POWER CMOS STATIC RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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整体的 硅 解决方案, 公司 — 1-800-379-4774
rev. E
11/26/03
IS62C1024L
ISSI
®
数据 保持 切换 特性
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
DR
V
DD
为 数据 保持 看 数据保持 波形 2.0 5.5 V
I
DR
数据 保持 电流 V
DD
= 3.0v,
CE1
V
DD
– 0.2v com. 45 250 µA
ind. 60 400
t
SDR
数据 保持 建制 时间 看 数据 保持 波形 0 ns
t
RDR
恢复 时间 看 数据 保持 波形
t
RC
—ns
数据 保持 波形 (
CE1CE1
CE1CE1
CE1
控制)
数据 保持 波形 (ce2 控制)
VDD
CE1
VDD
- 0.2v
t
SDR
t
RDR
V
DR
CE1
4.5v
2.2v
数据 保持 模式
VDD
CE2
0.2v
t
SDR
t
RDR
V
DR
0.4v
CE2
4.5v
2.2v
数据 保持 模式
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