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资料编号:619819
资料名称:
SPA08N50C3
文件大小: 265.73K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
4
5
6
7
8
9
10
11
12
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-06-27
页 8
spp08n50c3, spi08n50c3
SPA08N50C3
最终 数据
13 向前 特性 的 身体 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 10 µs
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPP08N50C3
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
14 avalanche soa
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °c
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
µs
t
AR
0
1
2
3
4
5
6
一个
8
I
AR
T
j
(开始)
=125°C
T
j
(开始)
=25°C
15 avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 5.5 一个,
V
DD
= 50 v
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
mJ
260
E
作
16 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
450
460
470
480
490
500
510
520
530
540
550
560
570
V
600
SPP08N50C3
V
(br)dss
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