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资料编号:619826
资料名称:
SPA15N60C3
文件大小: 263.73K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
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9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-07-01
页 6
spp15n60c3, spi15n60c3
SPA15N60C3
最终 数据
5 瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-1
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
6 瞬时 热的 阻抗 fullpak
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数:
D
=
t
p
/
t
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
d = 0.5
d = 0.2
d = 0.1
d = 0.05
d = 0.02
d = 0.01
单独的 脉冲波
7 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
4
8
12
16
20
V
28
V
DS
0
10
20
30
40
一个
60
I
D
vgs = 20v
vgs = 7v
vgs = 6.5v
vgs = 6v
vgs = 5.5v
vgs = 5v
vgs = 4.5v
vgs = 4v
8 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
4
8
12
16
20
V
28
V
DS
0
5
10
15
20
一个
30
I
D
vgs = 20v
vgs = 7v
vgs = 6v
vgs = 5.5v
vgs = 5v
vgs = 4.5v
vgs = 4v
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