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资料编号:619829
 
资料名称:SPA20N60C2
 
文件大小: 163.38K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2002-08-12
页 2
spp20n60c2, spb20n60c2
SPA20N60C2
最终 数据
热的 特性
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
特性
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 0.6 k/w
thremal 阻抗, 接合面 - 情况, fullpak
R
thjc_fp
- - 3.6
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, fullpak
R
thja_fp
- - 80
smd 版本, 设备 在 pcb:
@ 最小值 footprint
@ 6 cm
2
冷却 范围
3)
R
thJA
-
-
-
35
62
-
直线的 减额 因素
-
-
1.67
w/k
直线的 减额 因素, fullpak - - 0.28
焊接 温度,
1.6 mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s
T
出售
- - 260 °C
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
=0v,
I
D
=0.25ma
V
(br)dss
600 - - V
流-源 avalanche 损坏 电压
V
GS
=0v,
I
D
=20A
V
(br)ds
- 700 -
门 门槛 电压,
V
GS
=
V
DS
I
D
=1mA
V
gs(th)
3.5 4.5 5.5
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 600 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 600 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 150 °c
I
DSS
-
-
0.1
-
1
100
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
=20v,
V
DS
=0V
I
GSS
- - 100 nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
=10v,
I
D
=13a,
T
j
=25°C
R
ds(在)
- 0.16 0.19
门 输入 阻抗
f
= 1 mhz, 打开 流
R
G
- 0.54 -
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