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资料编号:619860
 
资料名称:SPA04N80C3
 
文件大小: 250.47K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2003-07-02
页 2
SPP04N80C3
SPA04N80C3
最终 数据
最大 比率
参数 标识 单位
流 源 电压 斜度
V
DS
= 640 v,
I
D
= 4 一个,
T
j
= 125 °c
d
v
/d
t
50 v/ns
热的 特性
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 2 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 情况, fullpak
R
thjc_fp
- - 4
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, fullpak
R
thja_fp
- - 80
焊接 温度,
1.6 mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s
3)
T
出售
- - 260 °C
电的 特性,
T
j
=25°c 除非 否则 指定
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=0v,
I
D
=0.25ma
800 - - V
流-源 avalanche
损坏 电压
V
(br)ds
V
GS
=0v,
I
D
=4A
- 870 -
门 门槛 电压
V
gs(th)
I
D
=240
µ
一个,
V
GS
=V
DS
2.1 3 3.9
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
=800v,
V
GS
=0v,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
-
-
0.5
-
10
100
µA
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=20v,
V
DS
=0V
- - 100 nA
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=10v,
I
D
=2.5a
T
j
=25°C
T
j
=150°C
-
-
1.1
3
1.3
-
门 输入 阻抗
R
G
f
=1mhz, 打开 流
- 0.7 -
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