首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:619864
 
资料名称:SPA07N65C3
 
文件大小: 299.15K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第7页
7

8
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号SPA07N65C3的Datasheet PDF文件第12页
12
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-04-07rev. 1.0
页 8
spp07n65c3, spi07n65c3
SPA07N65C3
13 向前 特性 的 身体 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 10 µs
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPP07N65C3
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
14 典型值 切换 时间
t
=
f
(
I
D
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
R
G
=12
0 1 2 3 4 5 6
一个
8
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
ns
90
t
td(止)
tf
td(在)
tr
15 典型值 切换 时间
t
=
f
(
R
G
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=7.3 一个
0 20 40 60 80 100
130
R
G
0
50
100
150
200
250
300
350
400
ns
500
t
td(止)
td(在)
tf
tr
16 典型值 流 电流 斜度
d
i
/d
t
= f(
R
G
), inductive 加载,
T
j
= 125°c
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=7.3a
0 20 40 60 80 100
130
R
G
0
500
1000
1500
2000
一个/µs
3000
d
i
/d
t
di/dt(在)
di/dt(止)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com