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资料编号:619930
 
资料名称:SPB18P06P
 
文件大小: 100.4K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-11-22
页 3
SPP18P06P
SPB18P06P
初步的 数据
电的 特性,
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
V
DS
³
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
= -13.2 一个
4
g
fs
s-8
输入 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
690 860 pf-
C
oss
- 290230
输出 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
反转 转移 电容
V
GS
= 0 v,
V
DS
= -25 v,
f
= 1 mhz
12095
C
rss
-
转变-在 延迟 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -13.2 一个,
R
G
= 2.7
W
- 18 ns12
t
d(在)
上升 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -13.2 一个,
R
G
= 2.7
W
t
r
- 8.75.8
24.5 37
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -13.2 一个,
R
G
= 2.7
W
-
下降 时间
V
DD
= -30 v,
V
GS
= -10 v,
I
D
= -13.2 一个,
R
G
= 2.7
W
t
f
- 11 16.5
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