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资料编号:619958
 
资料名称:SPB80N08S2-07
 
文件大小: 422.48K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS Power-Transistor
 
 


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2003-05-09
页 7
spi80n08s2-07
spp80n08s2-07,spb80n08s2-07
13 典型值 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 一个 ,
V
DD
= 25 v,
R
GS
= 25
25 45 65 85 105 125 145 °C 185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
850
E
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= 80 一个 搏动
0 20 40 60 80 100 120 140 160
nC
190
Q
0
2
4
6
8
10
12
V
16
spp80n08s2-07
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
参数:
I
D
=10 毫安
-60 -20 20 60 100 140
°C
200
T
j
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
V
92
spp80n08s2-07
V
(br)dss
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