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资料编号:619961
资料名称:
SPB07N60C3
文件大小: 374.19K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
5
6
7
8
9
10
11
12
13
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-04-07rev. 2.1
页 9
spp07n60c3, spb07n60c3
spi07n60c3, spa07n60c3
17 典型值 流 源 电压 斜度
d
v
/d
t
= f(
R
G
), inductive 加载,
T
j
= 125°c
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=7.3a
0
20
40
60
80
Ω
120
R
G
0
10
20
30
40
50
60
70
80
v/ns
100
d
v
/d
t
dv/dt(在)
dv/dt(止)
18 典型值 切换 losses
E
=
f
(
I
D
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
R
G
=12
Ω
0
1
2
3
4
5
6
一个
8
I
D
0
0.005
0.01
0.015
mWs
0.025
E
Eon*
Eoff
*) e
在
包含 sdp06s60
二极管 commutation losses.
19 典型值 切换 losses
E
=
f
(
R
G
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=7.3a
0
20
40
60
80
100
Ω
130
R
G
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
mWs
0.2
E
Eon*
Eoff
*) e
在
包含 sdp06s60
二极管 commutation losses.
20 avalanche soa
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °c
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
µs
t
AR
0
1
2
3
4
5
6
一个
8
I
AR
T
j(开始)
=25°C
T
j(开始)
=125°C
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