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资料编号:620298
 
资料名称:SPD03N60S5
 
文件大小: 253.64K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-30rev. 2.1
页 7
SPU03N60S5
SPD03N60S5
9 avalanche soa
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
150 °c
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
µs
t
AR
0
0.5
1
1.5
2
2.5
一个
3.5
I
AR
T
j(开始)
=25°C
T
j(开始)
=125°C
10 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 2.4 一个,
V
DD
= 50 v
20 40 60 80 100 120
°C
160
T
j
0
20
40
60
80
mJ
120
E
11 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPU03N60S5
V
(br)dss
12 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
=1 mhz
0 10 20 30 40 50 60 70 80
V
100
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
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