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资料编号:620299
资料名称:
SPD04N60C2
文件大小: 143.83K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
2
3
4
5
6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-10-07
页 6
SPD04N60C2
SPU04N60C2
最终 数据
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
2
4
一个
8
I
D
6V
6.5v
7V
7.5v
8V
8.5v
9V
20V
12V
10V
9.5v
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
1
2
3
4
5
6
7
一个
8.5
I
D
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
Ω
5
R
ds(在)
20V
12V
10V
9V
8.5v
8V
7.5v
7V
6.5v
6V
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 2.8 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
Ω
5.5
SPD04N60C2
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
一个
16
I
D
25 °c
150 °c
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