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资料编号:620300
资料名称:
SPD04N60S5
文件大小: 268.26K
说明
:
介绍
:
Cool MOS⑩ Power Transistor
: 点此下载
4
5
6
7
8
9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2004-03-30rev. 2.1
页 8
SPU04N60S5
SPD04N60S5
13 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPU04N60S5
V
(br)dss
14 avalanche 电源 losses
P
AR
=
f
(
f
)
参数:
E
AR
=0.4mj
10
4
10
5
10
6
Hz
f
0
25
50
75
100
125
150
W
200
P
AR
15 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
=1 mhz
0
100
200
300
400
V
600
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
16 典型值
C
oss
贮存 活力
E
oss
=
f
(
V
DS
)
0
100
200
300
400
V
600
V
DS
0
0.5
1
1.5
2
2.5
µJ
3.5
E
oss
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