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资料编号:620305
 
资料名称:SPD08N50C3
 
文件大小: 256.75K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2003-06-27
页 6
SPD08N50C3
最终 数据
5 典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
参数:
t
p
= 10 µs,
V
GS
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22
V
25
V
DS
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
一个
13
I
D
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
20V
8V
6.5v
6 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0 2 4 6 8 10 12
一个
15
I
D
0
1
2
3
4
5
6
7
8
10
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
6.5v
8V
20V
7 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 4.6 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
3.4
SPD08N50C3
R
ds(在)
典型值
98%
8 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0 2 4 6
V
10
V
GS
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
一个
24
I
D
25°C
150°C
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