2002-01-30
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初步的 数据
SPD35N10
9 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 26.4 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100 140
°C
200
T
j
0
20
40
60
80
100
120
140
160
m
190
SPD35N10
R
ds(在)
典型值
98%
10 典型值 门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
-65 -35 -5 25 55 85 115
°C
175
T
j
1.5
2
2.5
3
V
4
V
gs(th)
I
D
=1mA
I
D
=83µA
11 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
=1 mhz
0 5 10 15 20 25
V
35
V
DS
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
12 向前 character. 的 反转 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
0
10
1
10
2
10
3
10
一个
SPD35N10
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 175 °c 典型值
T
j
= 175 °c (98%)