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资料编号:620496
 
资料名称:SPD50P03L
 
文件大小: 77.21K
   
说明
 
介绍:
OptiMOS-P Power - Transistor
 
 


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2001-12-06
页 6
初步的 数据
SPD50P03L
9 流-源 在-阻抗
R
ds(在)
= f(
T
j
)
参数:
I
D
= -50 一个,
V
GS
= -10 v
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
3
4
5
6
7
8
m
10
R
ds(在)
典型值
98%
10 门 门槛 电压
V
gs(th)
=
f
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= -250 µa
-60 -20 20 60 100
°C
160
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
2.4
-
V
gs(th)
2%
典型值
98%
11 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0,
f
=1 mhz
0 5 10 15
V
25
-
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
Crss
Coss
Ciss
12 向前 character. 的 反转 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2 -2.4
V
-3
V
SD
0
-10
1
-10
2
-10
3
-10
一个
SPD50P03L
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 175 °c 典型值
T
j
= 175 °c (98%)
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