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资料编号:620669
 
资料名称:SPP04N60C3
 
文件大小: 304.59K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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2003-10-02
页 8
spp04n60c3, spb04n60c3
SPA04N60C3
最终 数据
13 向前 特性 的 身体 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 10 µs
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPP04N60C3
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
14 典型值 切换 时间
t
=
f
(
I
D
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
R
G
=18
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5
一个
4.5
I
D
0
10
20
30
40
50
60
70
ns
90
t
td(止)
tf
td(在)
tr
15 典型值 切换 时间
t
=
f
(
R
G
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=4.5 一个
0 20 40 60 80 100 120 140 160
190
R
G
0
50
100
150
200
250
300
350
400
ns
500
t
td(止)
tf
td(在)
tr
16 典型值 流 电流 斜度
d
i
/d
t
= f(
R
G
), inductive 加载,
T
j
= 125°c
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=4.5a
0 20 40 60 80 100 120 140 160
200
R
G
0
400
800
1200
1600
一个/µs
2400
d
i
/d
t
di/dt(在)
di/dt(止)
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