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资料编号:620679
资料名称:
SPP15P10P
文件大小: 83.22K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-07-26
页 7
初步的 数据
SPP15P10P
13 典型值 avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
); par.:
I
D
= -15 一个 ,
V
DD
= -25 v,
R
GS
= 25
Ω
25
50
75
100
125
°C
175
T
j
0
25
50
75
100
125
150
175
200
mJ
250
E
作
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= -15 一个 搏动,
T
j
= 25°c
0
10
20
30
40
nC
55
|Q
G
|
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
SPP15P10P
V
GS
20%
50%
80%
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
140
°C
200
T
j
-90
-92
-94
-96
-98
-100
-102
-104
-106
-108
-110
-112
-114
V
-120
SPP15P10P
V
(br)dss
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