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资料编号:620679
 
资料名称:SPP15P10P
 
文件大小: 83.22K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Small-Signal-Transistor
 
 


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2002-07-26
页 7
初步的 数据
SPP15P10P
13 典型值 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
); par.:
I
D
= -15 一个 ,
V
DD
= -25 v,
R
GS
= 25
25 50 75 100 125
°C
175
T
j
0
25
50
75
100
125
150
175
200
mJ
250
E
14 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
)
参数:
I
D
= -15 一个 搏动,
T
j
= 25°c
0 10 20 30 40
nC
55
|Q
G
|
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
V
-16
SPP15P10P
V
GS
20%
50%
80%
15 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 140
°C
200
T
j
-90
-92
-94
-96
-98
-100
-102
-104
-106
-108
-110
-112
-114
V
-120
SPP15P10P
V
(br)dss
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