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半导体 组
SPP80N03
电源 消耗
P
tot
=
f
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120 140 160
°C
190
T
C
0
40
80
120
160
200
240
W
320
SPP80N03
P
tot
流 电流
I
D
=
f
(
T
C
)
参数:
V
GS
≥
10 v
0 20 40 60 80 100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
一个
90
SPP80N03
I
D
瞬时 热的 阻抗
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
参数 :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
SPP80N03
Z
thJC
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50
safe 运行 范围
I
D
=
f
(
V
DS
)
参数 :
D
= 0 ,
T
C
= 25 °c
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
1
10
2
10
3
10
一个
SPP80N03
I
D
R
D
S
(
o
n
)
=
V
D
S
/
I
D
直流
10 ms
1 ms
100 µs
t
p
= 54.0µs