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资料编号:620702
 
资料名称:SPP08P06P
 
文件大小: 96.95K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1999-11-22
页 6
SPP08P06P
SPB08P06P
初步的 数据
典型值 流-源-在-阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
V
GS
0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14
一个
-18
I
D
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
W
1.0
SPP08P06P
R
ds(在)
一个
V
GS
[v] =
一个
-4.0
b
b
-4.5
c
c
-5.0
d
d
-5.5
e
e
-6.0
f
f
-6.5
g
g
-7.0
h
h
-7.5
i
i
-8.0
j
j
-10.0
典型值 输出 典型的
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
参数:
t
p
= 80 µs
0 -2 -4 -6 -8
V
-11
V
DS
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
一个
-21
SPP08P06P
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 -4.0
b
b -4.5
c
c -5.0
d
d -5.5
e
e -6.0
f
f -6.5
g
g -7.0
h
h -7.5
i
i -8.0
j
P
tot
= 42.00w
j -10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
V
DS
³
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 80 µs
0 -1 -2 -3 -4 -5 -6 -7 -8
V
-10
V
GS
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-22
-24
一个
-30
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
= f(
I
D
);
T
j
=25°C
参数:
g
fs
0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -14 -16
一个
-20
I
D
0
1
2
3
4
S
6
g
fs
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