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资料编号:620703
 
资料名称:SPP20N60CFD
 
文件大小: 167.36K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-12-22页 3
SPP20N60CFD
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=13.1a
- 17.5 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
- 2400 - pF
输出 电容
C
oss
- 780 -
反转 转移 电容
C
rss
- 50 -
有效的 输出 电容,
2)
活力 related
C
o(er)
V
GS
=0v,
V
DS
=0v 至 480v
- 83 - pF
有效的 输出 电容,
3)
时间 related
C
o(tr)
- 160 -
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=380v,
V
GS
=0/10v,
I
D
=20.7a,
R
G
=3.6
- 12 - ns
上升 时间
t
r
- 15 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 59 -
下降 时间
t
f
- 6.4 -
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=480v,
I
D
=20.7a - 15 - nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 54 -
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=480v,
I
D
=20.7a,
V
GS
=0 至 10v
- 95 124
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=480v,
I
D
=20.7a - 7 - V
1
repetitve avalanche 导致 额外的 电源 losses 那 能 是 计算 作
P
AV
=
E
AR
*
f
.
2
C
o(er)
是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 贮存 活力 作
C
oss
V
DS
是 rising 从 0 至 80%
V
DSS
.
3
C
o(tr)
是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间 作
C
oss
V
DS
是 rising 从 0 至 80%
V
DSS
.
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