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资料编号:620965
 
资料名称:SPU11N10
 
文件大小: 493.19K
   
说明
 
介绍:
SIPMOS Power-Transistor
 
 


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2002-01-31
页 3
SPD11N10
SPU11N10
初步的 数据
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
动态 特性
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=7.8a
2.6 5.8 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
- 320 400 pF
输出 电容
C
oss
- 72 90
反转 转移 电容
C
rss
- 43 54
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=50v,
V
GS
=10v,
I
D
=10.5a,
R
G
=28
- 8.2 10 ns
上升 时间
t
r
- 46 58
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 29 36
下降 时间
t
f
- 23 29
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=80v,
I
D
=10.5a
- 2.3 2.9 nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 7.8 9.8
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=80v,
I
D
=10.5a,
V
GS
=0 至 10v
- 14.6 18.3
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=80v,
I
D
=10.5a
- 6.4 - V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的
向前 电流
I
S
T
C
=25°C
- - 10.5 一个
inverse 二极管 直接 电流,
搏动
I
SM
- - 41.2
inverse 二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0v,
I
F
=10.5a
- 0.93 1.25 V
反转 恢复 时间
t
rr
V
R
=50v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100a/µs
- 57 71 ns
反转 恢复 承担
Q
rr
- 134 167 nC
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