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资料编号:620965
资料名称:
SPU11N10
文件大小: 493.19K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power-Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2002-01-31
页 3
SPD11N10
SPU11N10
初步的 数据
电的 特性
, 在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
参数
标识
情况
值
单位
最小值
典型值
最大值
动态 特性
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=7.8a
2.6
5.8
-
S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
-
320
400
pF
输出 电容
C
oss
-
72
90
反转 转移 电容
C
rss
-
43
54
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=50v,
V
GS
=10v,
I
D
=10.5a,
R
G
=28
-
8.2
10
ns
上升 时间
t
r
-
46
58
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
-
29
36
下降 时间
t
f
-
23
29
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=80v,
I
D
=10.5a
-
2.3
2.9
nC
门 至 流 承担
Q
gd
-
7.8
9.8
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=80v,
I
D
=10.5a,
V
GS
=0 至 10v
-
14.6
18.3
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=80v,
I
D
=10.5a
-
6.4
-
V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的
向前 电流
I
S
T
C
=25°C
-
-
10.5
一个
inverse 二极管 直接 电流,
搏动
I
SM
-
-
41.2
inverse 二极管 向前 电压
V
SD
V
GS
=0v,
I
F
=10.5a
-
0.93
1.25
V
反转 恢复 时间
t
rr
V
R
=50v,
I
F
=
l
S
,
d
i
F
/d
t
=100a/µs
-
57
71
ns
反转 恢复 承担
Q
rr
-
134
167
nC
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