SPW12N50C3_集成电路资料查询网

2003-06-30
页 7
SPW12N50C3
最终 数据
9 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 7 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
Ω
2.1
SPW12N50C3
R
ds(在)
典型值
98%
10 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0 1 2 3 4 5 6 7 8
V
10
V
GS
0
4
8
12
16
20
24
28
32
一个
40
I
D
25°C
150°C
11 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= 11.6 一个 搏动
0 10 20 30 40 50
nC
70
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPW12N50C3
V
GS
0.2
V
ds 最大值
0.8
V
ds 最大值
12 向前 特性 的 身体 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 10 µs
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPW12N50C3
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)

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2003-06-30 页 7 SPW12N50C3 最终数据 9 流-源在-状态阻抗 R ds(在) = f ( T j ) 参数 : I D = 7 一个, V GS = 10 v -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 Ω 2.1 SPW12N50C3 R ds(在) 典型值 98% 10 典型值转移特性 I D = f ( V GS ); V DS ≥ 2 x I D x R ds(在)最大值参数: t p = 10 µs 0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10 V GS 0 4 8 12 16 20 24 28 32 一个 40 I D 25°C 150°C 11 典型值门承担 V GS = f ( Q 门 ) 参数: I D = 11.6 一个搏动 0 10 20 30 40 50 nC 70 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 V 16 SPW12N50C3 V GS 0.2 V ds 最大值 0.8 V ds 最大值 12 向前特性的身体二极管 I F = f (v SD ) 参数: T j , t p = 10 µs 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4 V 3 V SD -1 10 0 10 1 10 2 10 一个 SPW12N50C3 I F T j = 25 °c 典型值 T j = 25 °c (98%) T j = 150 °c 典型值 T j = 150 °c (98%)

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